(полупроводниковой пластины)

См. также в других словарях:

• радиоволновой метод фотоуправляемой полупроводниковой пластины — фупп Метод радиоволнового неразрушающего контроля, основанный на применении в качестве реактивного зонда фотоуправляемой полупроводниковой пластины или пленки, толщина которой значительно меньше рабочей длины волны. [ГОСТ 25313 82] Тематики… …   Справочник технического переводчика

• резка полупроводниковой пластины на кристаллы ИС — plokštelės pjaustymas lustais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer slicing vok. Chipvereinzelung, f; Trennen von Wafern, n rus. резка полупроводниковой пластины на кристаллы ИС, f pranc. découpage des tranches en puces, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Матрица макроячеек — выходная макроячейка PAL 22V10 компании AMD …   Википедия

• интегральная схема — (ИС, интегральная микросхема), микроэлектронное устройство, содержащее большое число объединённых конструктивно и электрически связанных между собой транзисторов, полупроводниковых диодов, конденсаторов, резисторов и др., изготовленных в едином… …   Энциклопедия техники

• Степпер — Два степпера ( …   Википедия

• Расщеплённые холловские структуры — (РХС)  разновидность датчиков Холла. РХС являются конструктивной базой сенсоров магнитного поля на основе эффекта Холла[1][2]. В отличие от традиционных преобразователей Холла, состоящих, как правило, из полупроводниковой пластины… …   Википедия

• ASML — Holding N.V. Тип публичная (Euronext: ASML, NASDAQ: ASML Год основания …   Википедия

• Фоторезист — (от Фото... и англ. resist – сопротивляться, препятствовать)         полимерный светочувствительный слой, нанесённый на поверхность полупроводниковой пластины с окисной плёнкой. Ф. используются в полупроводниковой электронике (См.… …   Большая советская энциклопедия

• большая интегральная схема — (БИС), сложная интегральная схема с большой степенью интеграции. БИС создают методами планарной технологии (от английского planar – плоский, ровный) путём формирования их элементов с одной (рабочей) стороны полупроводниковой пластины (подложки).… …   Энциклопедия техники

• МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с …   Физическая энциклопедия

• ТЕПЛОВОЙ ПРОБОЙ — (электротепловой пробой) резкое увеличение электропроводности диэлектрика (или полупроводника) при прохождении через него электрич. тока, обусловленное джоулевым разогревом (см. Джоулевы потери )и нарушением теплового равновесия образца с… …   Физическая энциклопедия